安博体育完美体育和NAND，DRAM和NAND也一直在寻求高带宽和低功耗的发展。我们也看到，DRAM也越来越便宜，但它很耗电，同时它也是易失性的，这意味着当系统关闭时它会丢失数据。而NAND 价格便宜且非易失性（它在系统关闭时保留数据），但NAND的速度很慢。

　　因此多年来，业界一直在寻找一种与DRAM和Flash具有相同属性并可以取代它们的“通用存储器”。这些竞争者包括 MRAM、PCM 和 ReRAM。本文将对简单比较下MRAM、SRAM 和 DRAM 之间的区别。

　　MRAM一词是Magnetoresistive RAM（磁阻随机存取存储器）的缩写。与使用电子电荷来存储数据的半导体存储器不同，MRAM 使用磁性元件来存储数据。它使用电子自旋，与电荷不同的是，电子自旋本质上是永久的。MRAM的概念其实由来已久，但是发展一直都比较缓慢。

　　MRAM结合了SRAM的速度、DRAM的密度和闪存的非易失性，因此通常被称为理想存储器。

　　上图描绘了经典的 MRAM。如图所示，每个bit具有自旋相关通道结存储单元以及磁性行和列写入线。自旋相关通道结根据存储层中的主要电子自旋产生较大的电阻变化。通道壁非常薄，只有几个原子层那么薄。这取决于自旋极化。因此，电子可以穿过绝缘的材料，从而导致电阻变化。

　　因此，在MRAM中，数据被读取为通道结电阻，而数据被存储在通道结磁性层的自旋极化中。写入线产生磁场，通过设置磁自旋极化来存储数据位。

　　通常，低电阻状态被视为逻辑0，高电阻状态被视为逻辑1。MRAM 的实现涉及许多底层方法和技术，比如切换模式、自旋转移扭矩、热辅助切换。下一代 MRAM 技术可以进一步减小单元尺寸和功耗。

　　• DRAM 是Dynamic RAM(动态随机存取存储器)的简称。主要由一个晶体管和一个电容组成。

　　• 基本原理：根据电容器中存放的信息来判断逻辑1和逻辑0。由于电容器会有电荷泄漏，所以需要周期性的充放电刷新。

　　下表对比了 MRAM、SRAM 和 DRAM 存储器之间的易失性、读写速度、功耗、密度以及耐用性。

　　• MRAM 是非易失性的，而 SRAM 是易失性的，断电就会丢失数据。

　　• DRAM需要电容器充电/放电的来完成读写，所以MRAM 的读/写速度更快。

　　所以，将来在需要考虑兼具功耗和速率的时候，MRAM可能会带来很好的效果。

　　切换磁极化不涉及电子或原子的实际运动，因此不存在已知的磨损机制。 Everspin

　　目前是新一代计算机内存的最佳候选者，但不是唯一的，与它同期并存的还有FRAM(铁电

　　)是一种新型存储器,其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将

　　或磁性随机存取存储器使用1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）架构，其中铁磁材料的磁性“状态”作为数据存储元素。由于

　　内存 /

　　准备 /

　　的新世代存储器技术。与目前的NAND Flash相比，写入速度快上10万倍，而读取速度则是快上接近10倍。

　　芯片的大容量存储密度; 具有EEPROM芯片存入数据的非易失性。 产品目标:

　　写入操作的长延时和较高的功耗成为其瓶颈，阻碍了其性能的进一步提高。读取优先

　　混合结构，几个混合结构的管理策略 /

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